今天，中国科学院上海微系统与信息技术研究所原所长、中科院院士邹世昌在家收看了庆祝中国共产党成立一百周年大会直播后，难以抑制内心的激动。

90岁高龄的他，写下了这样一段感言：

今天是党的百年华诞，

我非常激动！

我有幸加入中国共产党65年，

是党培养我留学、

继而成长为一名科技工作者；

是党领导人民开天辟地，

建设了繁荣富强的新中国。

我深深为此感到自豪，

为自己是一名党员而感到光荣！

我做了一名党员、一名科技工作者应该做的工作，

但还很不够。

有生之年，

我仍然要在党的领导下，

在培养年轻人、支持科研和产业结合上继续努力，

为建设我国自主创新的科技事业和芯片产业，

不懈奋斗！

今年，邹世昌院士被评为“全国优秀共产党员”，但他仍说自己做得“还很不够”。

邹世昌是我国著名材料学家，1931年7月出生，江苏太仓人。

1952年，他毕业于唐山交通大学冶金工程系，1954年赴苏留学，1958年在前苏联莫斯科有色金属学院获副博士学位。

回国后，邹世昌一直在上海冶金所（现上海微系统所）工作，历任离子束开放实验室主任、所长。先后担任离子注入和材料改性两个国际学术会议的国际委员会委员。曾受聘为德国慕尼黑弗朗霍夫学会固体技术研究所客座教授。

1986年，他当选为中共上海市第五届委员会候补委员。1991年当选为中国科学院学部委员（院士）。1992年，当选为中共第十四届中央委员会候补委员。

在六十年代，邹世昌曾负责国防重点任务甲种分离膜（代号真空阀门）的加工成形工作，是成功研制甲种分离膜的第二发明人。

七十年代以后，邹世昌在离子束材料改性、合成、加工和分析等方面进行了系统的研究工作，独创了用二氧化碳激光背面辐照获得离子注入损伤的增强退火效应，用全离子注入技术研制成我国第一块120门砷化镓门阵列电路，用反应离子束加工成我国第一批闪光全息光栅，研究SOI材料并制成CMOS/SOI电路，发展了离子束增强沉积技术并合成了氮化硅、氮化钛薄膜。

邹世昌获国家发明一等奖和中国科学院自然科学、科技进步等14项奖励，发表文章200多篇，培养博士生30多名，2003年被评为上海浦东开发建设杰出人才，2008年被国际半导体设备材料协会SEMI授予中国半导体产业开拓奖。曾任上海市集成电路行业协会会长，是上海集成电路领域重要的奠基人之一。

*文汇独家稿件，转载请注明出处。